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IXFH 16N80P IXFT 16N80P
IXFV 16N80P IXFV 16N80PS
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = V DSS, I D = 0.5 I D25
R G = 5 Ω (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
9
16
4600
330
23
27
32
75
29
71
21
23
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.27 ° C/W
R thCS
(TO-247)
0.21
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V, pulse test
16
48
1.5
A
A
V
t rr
I RM
Q RM
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100V; V GS = 0 V
150
7
0.7
250
ns
A
μ C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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